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ZXM61N02F	文件：208.71 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.18V;ID=1.7A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：208.71 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
ZXM61N02F	文件：218.08 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 20 Volts MOSFETs Non isolated DC-DC converter circuits Battery pack switches Motor drive Disconnect switches 文件：218.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXM61N02F	文件：237.05 Kbytes Page：3 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：237.05 Kbytes 页数：3 Pages	ZPSEMIZP Semiconductor 至尚臻品	ZPSEMI
ZXM61N02FTA	文件：208.71 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.18V;ID=1.7A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：208.71 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
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ZXM61N02FTC	文件：208.71 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET SUMMARY V(BR)DSS=20V; RDS(ON)=0.18V;ID=1.7A DESCRIPTION This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management 文件：208.71 Kbytes 页数：7 Pages	ZETEX	ZETEX
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ZXM61N02F_15	文件：218.08 Kbytes Page：7 Pages	20V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET 文件：218.08 Kbytes 页数：7 Pages	DIODES 美台半导体	DIODES
ZXM61N02FTA	文件：1.05161 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 20 V (D-S) MOSFET 文件：1.05161 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
ZXM61N02F	文件：300 bytes Page：1 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET This new generation of high density MOSFETs from Zetex utilises a unique structure that combines the benefits of low on-resistance with fast switching speed. This makes them ideal for high efficiency, low voltage, power management applications.	Diodes 美台半导体	Diodes

技术参数

Automotive Compliant PPAP：
No
Polarity：
N
ESD Diodes：
No
VDS：
20 V
VGS：
12 ±V
IDS @ TA = +25°C：
1.7 A
PD @ TA = +25°C：
0.625 W
RDS(ON) Max @ VGS (10V)：
N/A mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (4.5V)：
180 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (2.5V)：
240 mΩ
RDS(ON) Max @ VGS (1.8V)：
N/A mΩ
VGS (th) Max：
N/A V
QG Typ @ VGS = 4.5V (nC)：
2.7 nC
QG Typ @ VGS = 10V (nC)：
N/A nC
Packages：
SOT23

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