NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER(DARLINGTON TRANSISTORS)

FEATURES * 120 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Gain of 2K at IC=1 Amp * Ptot= 1 Watt

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ZETEX

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER

FEATURES * 120 Volt VCEO * 1 Amp continuous current * Gain of 2K at IC=1 Amp * Ptot= 1 Watt

文件：83.7 Kbytes 页数：3 Pages

DIODES

美台半导体

Silicon NPN Power Transistor

DESCRIPTION ·Collector-Emitter Breakdown Voltage -V(BR)CEO= 120V(Min) ·Collector-Emitter Saturation Voltage -VCE(sat)= 1.5V(Max) @IC= 1A APPLICATIONS ·Designed for power amplifier,high speed switching and regulated power supply applications.

文件：311.63 Kbytes 页数：3 Pages

ISC

无锡固电

NPN, 120V, 1A, E-Line

Diodes

美台半导体

Package：E-Line-3；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

DIODES

美台半导体

Package：E-Line-3，成型引线；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

DIODES

美台半导体

Package：E-Line-3，成型引线；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 120V 1A E-LINE

DIODES

美台半导体