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ZTX956	文件：66.02 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES 2Ampscontinuouscurrent Upto5Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltage Excellentgaincharacteristicsupto2Amps *Spicemodelavailable	Zetex Zetex Semiconductors
ZTX956	文件：77.71 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR FEATURES 2Ampscontinuouscurrent Upto5Ampspeakcurrent Verylowsaturationvoltage Excellentgaincharacteristicsupto2Amps *Spicemodelavailable	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZTX956_15	文件：77.71 Kbytes Page：3 Pages	PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
ZTX956STOA	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：E-Line-3，成型引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 2A E-LINE	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
ZTX956STOB	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）封装/外壳：E-Line-3，成型引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 2A E-LINE	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
ZTX956STZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：E-Line-3，成型引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：TRANS PNP 200V 2A E-LINE	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威
956	文件：440.12 Kbytes Page：1 Pages	956HEAVYDUTYSERIESIGNITIONSWITCHES Description LittelfuseIgnitionSwitchesaredesignedforuniversal applicationswithinharshenvironments.Theirmounting, body,andactuatorfeaturesaredesignedforease-of-useand extendedproductlifecycle. The956HeavyDutySeriesisourmostrobustseriesof IgnitionSwitches,provi	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
AH956	文件：53.61 Kbytes Page：2 Pages	VIDEOOUTPUTPOSTFILTER	Faraday Faraday
AZ956	文件：147.51 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDRELAY FEATURES •Microminiaturesize:upto50lessboardareathanpreviousgenerationtelecomrelays •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •Lowpowerconsumption:36mWpickup •Stablecontactresistanceforlowlevelsignalswitching •Epoxysealed •UL,CURfileE43203 •Allplastic	ZETTLERZettler Group 赛特勒赛特勒集团
AZ956	文件：92.52 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDRELAY FEATURES •Microminiaturesize:upto50lessboardareathanpreviousgenerationtelecomrelays •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •Lowpowerconsumption:36mWpickup •Stablecontactresistanceforlowlevelsignalswitching •Epoxysealedforautomaticwavesolderingandclea	AZETTLER American Zettler, Inc.
AZ956P	文件：154.28 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDBISTABLE(LATCHING)RELAY FEATURES •Microminiaturesize:upto50lessboardareathanpreviousgenerationtelecomrelays •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •Highdielectricandsurgevoltage: •Lowpowerconsumption:36mWpickup •Stablecontactresistanceforlowlevelsignalswitching •Epoxysealed	ZETTLERZettler Group 赛特勒赛特勒集团
AZ956P	文件：94.47 Kbytes Page：2 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDBISTABLE(LATCHING)RELAY FEATURES •Microminiaturesize:upto50lessboardareathanpreviousgenerationtelecomrelays •MeetsFCCPart68.3021500Vlightningsurge •Highdielectricandsurgevoltage: •Lowpowerconsumption:36mWpickup •Stablecontactresistanceforlowlevelsignalswitching •Epoxysealed	AZETTLER American Zettler, Inc.
BD956	文件：88.92 Kbytes Page：3 Pages	NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD949,951,953,955NPNPLASTICPOWERTRANSISTORS BD950,952,954,956PNPPLASTICPOWERTRANSISTORS	CDIL CDIL
BD956	文件：194.79 Kbytes Page：2 Pages	Collector-EmitterBreakdownVoltage-:V(BR)CEO=-120V(Min)	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BD956	文件：134.6 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD956F	文件：134.2 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD956F	文件：134.2 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD956F	文件：134.2 Kbytes Page：2 Pages	SiliconPNPPowerTransistor	NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体产品股份有限公司
BD956F	文件：110.29 Kbytes Page：2 Pages	iscSiliconPNPPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司
BDP956	文件：44.65 Kbytes Page：4 Pages	PNPSiliconAFPowerTransistors PNPSiliconAFPowerTransistors ForAFdriverandoutputstages Highcurrentgain Lowcollector-emittersaturationvoltage Complementarytypes:BDP951...BDP955(NPN)	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司

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详细参数

型号：
ZTX956
功能描述：
两极晶体管 - BJT PNP Big Chip SELine
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
PNP 集电极—基极电压
VCBO：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
- 40 V 发射极 - 基极电压
VEBO：
- 6 V
增益带宽产品fT：
直流集电极/Base Gain hfe
Min：
100 A
安装风格：
SMD/SMT
封装/箱体：
PowerFLAT 2 x 2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多ZTX956供应商更新时间2024-4-28 11:04:00

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