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ZTX855

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

FEATURES * 150 Volt VCEO * 4 Amps continuous current * Up to 10 Amps peak current * Very low saturation voltage * Ptot= 1.2 Watt

文件:71.95 Kbytes 页数:3 Pages

ZETEX

ZTX855

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

aFeatures • BVCEO > 150V • IC = 4A High Continuous Collector Current • ICM = 10A Peak Pulse Current • TJ up to 200°C for High Temperature Operation • Low Saturation Voltage

文件:83.47 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX855

NPN, 150V, 4A, E-Line

Diodes

美台半导体

ZTX855

Package:E-Line-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 4A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX855_15

150V NPN MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE

文件:320.82 Kbytes 页数:7 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX855STOB

Package:E-Line-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 4A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX855STZ

Package:E-Line-3;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 150V 4A E-LINE

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZTX855

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    260mV @ 400mA,4A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 1A,5V

  • 频率 - 跃迁:

    90MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    E-Line-3

  • 供应商器件封装:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN 150V 4A E-LINE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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