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ZTX857

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

FEATURES * 300 Volt VCEO * 3 Amps continuous current * Up to 5 Amps peak current * Very low saturation voltage * Ptot= 1.2 Watt

文件:75.78 Kbytes 页数:3 Pages

ZETEX

ZTX857

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

FEATURES * 300 Volt VCEO * 3 Amps continuous current * Up to 5 Amps peak current * Very low saturation voltage * Ptot= 1.2 Watt

文件:87.3 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX857

NPN, 300V, 3A, E-Line

Diodes

美台半导体

ZTX857

Package:E-Line-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX857_15

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH CURRENT TRANSISTOR

文件:87.3 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX857Q

NPN, 300V, 3A, E-Line

Diodes

美台半导体

ZTX857STOA

Package:E-Line-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX857STOB

Package:E-Line-3;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 300V 3A E-LINE

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZTX857

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 600mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    50nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    100 @ 500mA,10V

  • 频率 - 跃迁:

    80MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    E-Line-3

  • 供应商器件封装:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN 300V 3A E-LINE

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多ZTX857供应商 更新时间2026-4-17 18:03:00