NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

FEATURES * 100 Volt VCEO * 800 mA continuous current * Gain of 10K at IC=500mA * Ptot=1 Watt

文件：33.84 Kbytes 页数：1 Pages

ZETEX

NPN Darlington Transistor

NPN Darlington Transistor • These device is designed for applications requiring extremely high gain at collector currents to 0.5A and high breakdown voltage. • Sourced from process 06.

文件：41.45 Kbytes 页数：3 Pages

FAIRCHILD

仙童半导体

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

FEATURES * 100 Volt VCEO * 800 mA continuous current * Gain of 10K at IC=500mA * Ptot=1 Watt

文件：45.08 Kbytes 页数：1 Pages

DIODES

美台半导体

NPN Darlington Transistor

ONSEMI

安森美半导体

NPN, 100V, 0.8A, E-Line

Diodes

美台半导体

Package：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）；包装：散装 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 100V 0.8A TO226

ONSEMI

安森美半导体

Package：E-Line-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

DIODES

美台半导体

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER DARLINGTON TRANSISTOR

文件：45.08 Kbytes 页数：1 Pages

DIODES

美台半导体

NPN, 100V, 0.8A, E-Line

Diodes

美台半导体

Package：E-Line-3，成型引线；包装：卷带（TR） 类别：分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个 描述：TRANS NPN DARL 100V 0.8A E-LINE

DIODES

美台半导体