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ZTX696B

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

FEATURES * 180 Volt VCEO * Gain of 500 at IC=100mA * Very low saturation voltage APPLICATIONS * Darlington replacement * Battery powered circuits * Motor drivers * Relay / solenoid drivers

文件:64.26 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX696B_15

NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER HIGH GAIN TRANSISTOR

文件:64.26 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

ZTX696B

NPN, 180V, 0.5A, E-Line

Diodes

美台半导体

ZTX696B

Package:E-Line-3;包装:散装 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX696BSTOB

Package:E-Line-3,成型引线;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE

DIODES

美台半导体

ZTX696BSTZ

Package:E-Line-3,成型引线;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:分立半导体产品 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个 描述:TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE

DIODES

美台半导体

产品属性

  • 产品编号:

    ZTX696B

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    散装

  • 晶体管类型:

    NPN

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    250mV @ 5mA,200mA

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    100nA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    150 @ 200mA,5V

  • 频率 - 跃迁:

    70MHz

  • 工作温度:

    -55°C ~ 200°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    E-Line-3

  • 供应商器件封装:

    E-Line(TO-92 兼容)

  • 描述:

    TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE

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