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ZTX853QSTZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：带盒（TB）封装/外壳：E-Line-3，成型引线类别：分立半导体产品晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个描述：PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO	PAMDiodes Incorporated 龙鼎威	PAM
853	文件：80.27 Kbytes Page：1 Pages	PCMount,Shocksafe5x20mmFuses	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司	Littelfuse
853	文件：128.949 Kbytes Page：5 Pages	3M??PolyesterTape853	3MMinnesota Mining and Manufacturing 明尼苏达矿务明尼苏达矿务及制造业公司	3M
AZ853	文件：204.75 Kbytes Page：3 Pages	MICROMINIATUREPOLARIZEDRELAY FEATURES •ConformstoIEC60950/UL1950/EN60950spacingandhighbreakdownvoltage Clearance:1.0mm(betweencoilandcontacts) Creepage:1.6mm(betweencoilandcontacts) BasicInsulation:150VWorkingVoltage,PollutionDegree2 •Monostableandbistable(latching)versionsav	AZETTLER American Zettler, Inc.	AZETTLER
BISC-853	文件：91.84 Kbytes Page：1 Pages	LF(70/455kHz)	BalluffBalluff Korea Ltd. 巴鲁夫巴鲁夫自动化（上海）有限公司	Balluff
BS-A853RD	文件：260.14 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
BS-C853RD	文件：260.14 Kbytes Page：2 Pages	SINGLEDIGITLEDDISPLAYS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
CAT853	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
CAT853	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT853	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
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CAT853	文件：117.33 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT853CTBI-G	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT853FTBI-G	文件：683.82 Kbytes Page：10 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
CAT853M	文件：536.85 Kbytes Page：9 Pages	3-PinMicroprocessorPowerSupplySupervisors	CatalystCATALYST CATALYST	Catalyst
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产品属性

产品编号：
ZTX853QSTZ
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
包装：
带盒（TB）
晶体管类型：
NPN
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
200mV @ 400mA，4A
电流 - 集电极截止（最大值）：
50nA
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
100 @ 2A，2V
频率 - 跃迁：
130MHz
工作温度：
-55°C ~ 200°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
E-Line-3，成型引线
供应商器件封装：
E-Line（TO-92 兼容）
描述：
PWR MID PERF TRANSISTOR EP3 AMMO

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更多ZTX853Q供应商更新时间2024-6-5 10:18:00

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