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NTD60N02RG	文件：85.11 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,25V,N?묬hannel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
NTD60N02RG	文件：1.01774 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
NTD60N02RG	文件：81.55 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET62A,24V,N-Channel,DPAK	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
SUM60N02	文件：158.73 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel20-V(D-S)175째CMOSFET	TFUNKVishay Telefunken 威世威世（VISHAY）集团	TFUNK
T60N02R	文件：1.68783 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
T60N02RG	文件：1.01978 Mbytes Page：8 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
TF60N02	文件：3.64554 Mbytes Page：6 Pages	N-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET ●GeneralDescription TheTF60N02combinesadvancedtrench MOSFETtechnologywithalowresistancepackagetoprovideextremelylowRDS(ON).Thisdeviceisidealfor loadswitchandbatteryprotectionapplications. ●Features AdvancehighcelldensityTrenchtechnology LowRDS(ON)tominimizeco	TUOFENGShenzhen Tuofeng Semiconductor Technology Co 拓锋半导体深圳市拓锋半导体科技有限公司	TUOFENG
YFW60N02AD	文件：1.8812 Mbytes Page：5 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW60N02BD	文件：2.21598 Mbytes Page：5 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE
YFW60N02DF	文件：1.92339 Mbytes Page：5 Pages	20VN-CHANNELENHANCEMENTMODEMOSFET Application Batteryprotection Loadswitch Uninterruptiblepowersupply	YFWDIODEDONGGUAN YOU FENG WEI ELECTRONICS CO., LTD 佑风微电子广东佑风微电子有限公司	YFWDIODE

技术参数

Status：
Active
ESD：
No
Configuration：
Single
Type：
N
VDSS (V)：
20
ID (A)：
60
PD (W)：
29
VGS (V)：
±10
Tj (℃）：
150
Vth_Typ(V)：
0.62
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)：
4.5
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)：
6
Rdson@VGS2.5V_TYP(mΩ)：
5.5
Rdson@VGS2.5V_Max(mΩ)：
8.8
Rdson@VGS1.8V_TYP(mΩ)：
8
Rdson@VGS1.8V_Max(mΩ)：
14
Ciss_Typ(pF)：
2250
Coss_Typ(pF)：
334
Crss_Typ(pF)：
271
Qg_Typ(nC)：
27.9
Grade：
Standard

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