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IGW30N60T	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	LowLossIGBT:IGBTinTRENCHSTOP??andFieldstoptechnology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IHW30N60T	文件：368.59 Kbytes Page：12 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchStoptechnologywithoptimiseddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IKW30N60T	文件：397.74 Kbytes Page：13 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode LowLossDuoPack:IGBTinTrenchandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmConHEdiode •VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) •MaximumJunctionTemperature175°C •Shortcircuitwithstandtime–5µs •Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePower	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IKW30N60T	文件：506.16 Kbytes Page：13 Pages	IGBTinTRENCHSTOPandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryanti-parallelEmitterControlledHEdiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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