IGW30N60T中文资料下载贸易商英飞凌-114ic电子网

首页 >IGW30N60T>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业
IGW30N60T	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW30N60T	文件：446.85 Kbytes Page：13 Pages	Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW30N60T_15	文件：495.77 Kbytes Page：12 Pages	Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology Features: VerylowVCE(sat)1.5V(typ.) MaximumJunctionTemperature175°C Shortcircuitwithstandtime5s Designedfor: -FrequencyConverters -UninterruptiblePowerSupply TRENCHSTOP™andFieldstoptechnologyfor600Vapplications offers: -verytightparameterdistributio	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW30N60TP	文件：1.46499 Mbytes Page：14 Pages	TRENCHSTOPTM Performance technology	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW30N60TFKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
IGW30N60TPXKSA1	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-247-3 类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AIKW30N60CT	文件：1.9827 Mbytes Page：16 Pages	LowLossDuoPack:IGBTinTRENCHSTOPTMandFieldstoptechnologywithsoft,fastrecoveryantiparallelEmitterControlleddiode	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司
AR30N60	文件：672.35 Kbytes Page：15 Pages	ACTIVE/SYNCHRONOUSRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技
BIDW30N60T	文件：1.32748 Mbytes Page：10 Pages	BIDW30N60TInsulatedGateBipolarTransistor(IGBT) GeneralInformation TheBourns®ModelBIDW30N60TIGBTdevicecombinestechnologyfromaMOSgate andabipolartransistorforanoptimumcomponentforhighvoltageandhighcurrent applications.ThisdeviceusesTrench-GateField-Stoptechnologyprovidinggreater controlofdynamiccharacteris	BournsBourns Inc. 伯恩斯（邦士）
DAM30N60C	文件：281.61 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM30N60F	文件：264.01 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
DAM30N60S	文件：242.68 Kbytes Page：4 Pages	N-ChannelEnhancementModeMOSFET	DACO DACO
FGA30N60LSD	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGA30N60LSDTU	文件：774.14 Kbytes Page：9 Pages	MOSFETsandbipolartransistors	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH30N60LSD	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGH30N60LSDTU	文件：714.63 Kbytes Page：9 Pages	Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.1V@IC=30A	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
FGW30N60VD	文件：656.97 Kbytes Page：8 Pages	DiscreteIGBT(High-SpeedVseries)600V/30A	FujiFUJI CORPORATION 株式会社ＦＵＪＩ
G30N60	文件：178.25 Kbytes Page：8 Pages	600V,SMPSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60A4combinesthebestfeaturesofhighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.ThisIGBTisidealformanyhighvoltageswitchingapplicationsoperatingathighfrequencieswherelowconductionlossesareessential.Thisdevicehasbeen	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：221.78 Kbytes Page：8 Pages	60A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBT TheHGTG30N60B3isaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThisdevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司
G30N60	文件：116.91 Kbytes Page：7 Pages	63A,600V,UFSSeriesN-ChannelIGBTwithAnti-ParallelHyperfastDiodes TheHGTG30N60C3DisaMOSgatedhighvoltageswitchingdevicecombiningthebestfeaturesofMOSFETsandbipolartransistors.ThedevicehasthehighinputimpedanceofaMOSFETandthelowon-stateconductionlossofabipolartransistor.Themuchloweron-statevoltagedropvariesonlymoderatel	IntersilIntersil Corporation 瑞萨电子瑞萨电子株式会社

12 3 4 5 6 >>>

详细参数

型号：
IGW30N60T
功能描述：
IGBT 晶体管 LOW LOSS IGBT TECH 600V 30A
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市赛能新源半导体有限公司	IGW30N60T	INFINEON	21+	TO-247	60000	原装正品进口现货	询价
深圳市高捷芯城科技有限公司	IGW30N60T	Infineon(英飞凌)	23+	TO-247	928	原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务	询价
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	IGW30N60T	Infineon(英飞凌)	22+	N/A	12000	一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力	询价
深圳市明嘉莱科技有限公司	IGW30N60T	INFINEON TECHNOLOGIES AG	23+	SMD	918000	明嘉莱只做原装正品现货	询价
深圳市特莱科技有限公司	IGW30N60T	INFINEON/英飞凌	21+23+	TO-247	6340	16年电子元件现货供应商终端BOM表可配单提供样品	询价
深圳市浩睿泽电子科技有限公司	IGW30N60T	英飞凌	新批次	N/A	1500		询价
深圳市中联芯电子有限公司	IGW30N60T	INFINEON(英飞凌)	24+	TO247-3	6000	只做原装/假一赔百	询价
深圳市勤思达科技有限公司	IGW30N60T	INFINEON			100	原装现货,价格优惠	询价
深圳市特顺芯科技有限公司	IGW30N60T	INFINEON	08+(pbfree)	PGTO-247-3-1	8866		询价
深圳好佳好科技有限公司	IGW30N60T	INFINEO	1436+	3P	30000	绝对原装进口现货可开增值税发票	询价

更多IGW30N60T供应商更新时间2024-4-24 15:44:00

详细参数

相关规格书

相关库存