丝印：G30T60；Package：PG-TO247-3；Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distributio

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Low Loss IGBT in TrenchStop and Fieldstop technology

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Low Loss IGBT : IGBT in TRENCHSTOP??and Fieldstop technology

Features:  Very low VCE(sat) 1.5V (typ.)  Maximum Junction Temperature 175°C  Short circuit withstand time 5s  Designed for : - Frequency Converters - Uninterruptible Power Supply  TRENCHSTOP™ and Fieldstop technology for 600V applications offers : - very tight parameter distributio

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TRENCHSTOPTM Performance technology

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600 V、30 A IGBT 分立器件，采用 TO-247 封装

得益于沟道单元（trench-cell）和场终止概念的结合，低损耗 600 V, 30 A 硬开关 TRENCHSTOP™ 第三代 IGBT， 采用TO-247 封装，显著改善了器件的静态和动态性能。 • 极低的压降VCEsat ，实现更低的通态损耗\n• 低开关损耗\n• VCEsat中的正温度系数使得开关并联更加容易\n• 非常柔软、快速的恢复反并联发射极控制二极管\n• 高坚固性，温度稳定行为\n• 极低的电磁辐射 (EME)\n• 低栅极电荷\n• 参数分布非常紧凑\n\n优势:\n• 超高效率-低导通和低开关损耗\n• 600 V和1200 V的全面产品组合，可实现设计灵活性\n• 器件可靠性高;

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采用 TO-247 封装的 600 V、30 A IGBT

新的 600V TRENCHSTOP™ 性能基于 600V TRENCHSTOP™ IGBT 技术开发。新的 IGBT 系列结合导通和关断能量之间的出色平衡，具有出色的鲁棒性和出色的电磁干扰行为。\n   • 总开关损耗较低，即，IGBT 效率较高 • 对于 8kHz 的开关速度，E ts 降低 7%\n• 开关速度为 15kHz 时，E ts 降低 11 %\n\n • 低速 dV/dt 开关 (<5V/ns)\n• 低 EMI\n• 改进电池设计，提高可靠性\n\n优势:;

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT 600V 60A 187W TO247-3

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Package：TO-247-3；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别：分立半导体产品 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 描述：IGBT TRENCH/FS 600V 53A TO247-3

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