IGW30N60TP数据手册分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF

描述 Description

新的 600V TRENCHSTOP™ 性能基于 600V TRENCHSTOP™ IGBT 技术开发。新的 IGBT 系列结合导通和关断能量之间的出色平衡，具有出色的鲁棒性和出色的电磁干扰行为。
 

特性 Features

• 总开关损耗较低，即，IGBT 效率较高
• 对于 8kHz 的开关速度，E ts 降低 7%
• 开关速度为 15kHz 时，E ts 降低 11 %


• 低速 dV/dt 开关 (<5V/ns)
• 低 EMI
• 改进电池设计，提高可靠性

优势:

应用 Application

• 电机控制
• 空调压缩机
• 暖通空调电机驱动器
• 不间断电源（UPS）
• 太阳能转换器

简介

IGW30N60TP属于分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单。由制造生产的IGW30N60TP晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT（绝缘栅双极晶体管）是一种具有三个端子的多层半导体器件，能够处理大电流，具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。