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10NM60N	文件：2.15015 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
10NM60ND	文件：2.1502 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STD10NM60N	文件：320.74 Kbytes Page：2 Pages	IscN-ChannelMOSFETTransistor •FEATURES •WithTo-252(DPAK)package •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance •100avalanchetested •MinimumLot-to-Lotvariationsforrobustdevice performanceandreliableoperation •APPLICATIONS •Switchingapplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
STD10NM60N	文件：907.61 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,0.53ohm,10A,DPAK,TO-220,TO-220FP,IPAKMDmeshIIPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channel600VPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STD10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.57,8A,DPAK,TO-220FP,TO-220FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode) Description ThisFDmesh™IIPowerMOSFETwithintrinsicfast-recoverybodydiodeisproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,thisrevolutionarydevicefeaturesextremelylowonresistanceandsuperiorswitchingperformance.Itis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10NM60N	文件：907.61 Kbytes Page：17 Pages	N-channel600V,0.53ohm,10A,DPAK,TO-220,TO-220FP,IPAKMDmeshIIPowerMOSFET Description ThesedevicesareN-channel600VPowerMOSFETrealizedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.ItappliesthebenefitsofthemultipledrainprocesstoSTMicroelectronics’well-knownPowerMESH™horizontallayoutstructure.Theresultingproductoffersimprovedon-resistanc	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10NM60ND	文件：1.2278 Mbytes Page：19 Pages	N-channel600V,0.57,8A,DPAK,TO-220FP,TO-220FDmeshIIPowerMOSFET(withfastdiode) Description ThisFDmesh™IIPowerMOSFETwithintrinsicfast-recoverybodydiodeisproducedusingthesecondgenerationofMDmesh™technology.Utilizinganewstrip-layoutverticalstructure,thisrevolutionarydevicefeaturesextremelylowonresistanceandsuperiorswitchingperformance.Itis	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STF10NM60ND	文件：1.10791 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
STI10NM60N	文件：702.04 Kbytes Page：12 Pages	N-channel600V,0.53Ωtyp.,10AMDmesh™IIPowerMOSFETinI²PAKpackage Features •100avalanchetested •Lowinputcapacitanceandgatecharge •Lowgateinputresistance Applications •Switchingapplications Description ThisdeviceisanN-channelPowerMOSFET developedusingthesecondgenerationof MDmesh™technology.ThisrevolutionaryPower MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STP10NM60N	文件：1.10775 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel650V(D-S)PowerMOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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