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VT10202C_V01	文件：159.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-2	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT10202C-M3SLASH4W	文件：159.09 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF = 0.58 V at IF = 2.5 A •TrenchMOSSchottkytechnologyGen2 •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximum peakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s, perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220AB,and	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045BP_V01	文件：109.97 Kbytes Page：4 Pages	Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Lowprofilepackage •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowpowerlosses,highefficiency •Lowforwardvoltagedrop •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleasesee	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045C	文件：124.87 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •AEC-Q101qualified •ComplianttoRoHSDirective2002/95/ECandinaccordancetoWEEE2002/96/EC •Halogen-freeaccordingtoI	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045C	文件：142.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045C_V01	文件：142.6 Kbytes Page：5 Pages	Dual Low-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 TYPICALAPPLICATIONS Forusein	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045CBP	文件：135.72 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045CBP_V01	文件：135.72 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1045CBP-M3SLASH4W	文件：135.08 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Barrier Schottky Rectifier for PV Solar Cell Bypass Protection Ultra Low VF = 0.34 V at IF = 2.5 A •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •Solderdip275°Cmax.10s,perJESD22-B106 •TJ200°Cmax.insolarbypassmodeapplication	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
VT1060C	文件：130.58 Kbytes Page：5 Pages	Dual High-Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeakof245°C(forTO-263ABpackage) •Solderbathtemperature275°Cmaximum,10s,perJESD22-B106(forTO-220AB,ITO-220ABand	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay

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详细参数

型号：
VT10
制造商：
Extech Instruments Corporation
功能描述：
VOLTAGE DETECTOR MULTIFUNCTION
制造商：
Extech
功能描述：
Multifunction Voltage Tester

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