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VT10202C_V01	文件：159.73 Kbytes Page：6 Pages	Dual High Voltage Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES • Trench MOS Schottky technology Gen 2 • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 245 °C (for TO-263AB package) • Solder bath temperature 275 °C maximum, 10 s, per JESD 22-B106 (for TO-220AB, ITO-2 文件：159.73 Kbytes 页数：6 Pages	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
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更多VT10202C_V01供应商更新时间2025-10-4 10:31:00