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VNV20N07中文资料OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VNV20N07

参数属性

VNV20N07 封装/外壳为PowerSO-10 裸露底部焊盘;包装为管件;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

功能描述

OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 PWRSO10

封装外壳

PowerSO-10 裸露底部焊盘

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-11-19 23:00:00

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VNV20N07规格书详情

特性 Features

• ESD PROTECTION
• DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PIN
• COMPATIBLE WITH STANDARD POWER MOSFET
• LINEAR CURRENT LIMITATION
• SHORT CIRCUIT PROTECTION
• THERMAL SHUT DOWN
• LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
• DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
• INTEGRATED CLAMP

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VNV20N07

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-2

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :50

  • General Description

    :OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :PowerSO-10

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack1

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :70

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :20

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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