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VNS7NV04P-E数据手册集成电路（IC）的配电开关负载驱动器规格书PDF
| 厂商型号 |
VNS7NV04P-E |
| 参数属性 | VNS7NV04P-E 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC |
| 功能描述 | OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | VNS7NV04P-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNS7NV04P-E规格书详情
描述 Description
The VNN7NV04P-E, VNS7NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive
技术参数
更多- 制造商编号
：VNS7NV04P-E
- 生产厂家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：65
- General Description
：OMNIFET II - fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：SO-8
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack2
- Clamp Voltage_typ(V)
：45
- Drain Current Limit_typ(A)
：9
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
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