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VNS7NV04P-E中文资料OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VNS7NV04P-E

参数属性

VNS7NV04P-E 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR)剪切带(CT);类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC

功能描述

OMNIFET II - 全自动保护功率MOSFET
IC MOSFET OMNIFET II 8-SOIC

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-26 16:52:00

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VNS7NV04P-E规格书详情

描述 Description

The VNN7NV04P-E, VNS7NV04P-E, are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower™ M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET in compliance with the 2002/95/EC European Directive

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VNS7NV04P-E

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-3

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :65

  • General Description

    :OMNIFET II - fully autoprotected Power MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :SO-8

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack2

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :45

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :9

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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