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VNS1NV04P-E中文资料OMNIFET II全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
VNS1NV04P-E |
| 参数属性 | VNS1NV04P-E 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为管件；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO |
| 功能描述 | OMNIFET II全自动保护功率MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-22 23:01:00 |
| 人工找货 | VNS1NV04P-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNS1NV04P-E规格书详情
描述 Description
The VNN1NV04P-E, VNS1NV04P-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics VIPower M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 50 kHz applications.
Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• ESD protection
• Diagnostic feedback through input pin
• Compatible with standard Power MOSFET
• Linear current limitation
• Short circuit protection
• Thermal shutdown
• Low current drawn from input pin
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Integrated clamp
技术参数
更多- 制造商编号
：VNS1NV04P-E
- 生产厂家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：250
- General Description
：OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：SO-8
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack2
- Clamp Voltage_typ(V)
：45
- Drain Current Limit_typ(A)
：2.6
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST/意法 |
24+ |
NA/ |
3413 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
STM |
2016+ |
SOP8 |
6000 |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
询价 | ||
ST/意法 |
25+ |
原厂原封可拆 |
54685 |
百分百原装现货有单来谈 |
询价 | ||
ST |
15+ |
SOP8 |
2200 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
ST/意法 |
24+ |
NA |
80000 |
原装现货,专业配单专家 |
询价 | ||
ST |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST |
25+ |
SOP-8 |
17500 |
原厂原装,价格优势 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
24+ |
SOIC-8_150mil |
6000 |
全新原装深圳仓库现货有单必成 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SOP8 |
9000 |
原装正品,支持实单! |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SOIC-8_150mil |
10000 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
