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VNS14NV04P-E数据手册集成电路（IC）的配电开关负载驱动器规格书PDF
| 厂商型号 |
VNS14NV04P-E |
| 参数属性 | VNS14NV04P-E 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC |
| 功能描述 | OMNIFET II全自动保护功率MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-7 23:00:00 |
| 人工找货 | VNS14NV04P-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNS14NV04P-E规格书详情
描述 Description
The VNS14NV04P-E is monolithic device made using STMicroelectronics™ VIPower™ M0 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
技术参数
更多- 制造商编号
：VNS14NV04P-E
- 生产厂家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：35
- General Description
：OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：SO-8
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack2
- Clamp Voltage_typ(V)
：45
- Drain Current Limit_typ(A)
：18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法半导体) |
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ST/意法半导体 |
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