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VNS14NV04P-E中文资料OMNIFET II全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
VNS14NV04P-E |
| 参数属性 | VNS14NV04P-E 封装/外壳为8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装为卷带（TR）剪切带（CT）；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC MOSFET OMNIFET 45V 8-SOIC |
| 功能描述 | OMNIFET II全自动保护功率MOSFET |
| 封装外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-26 16:52:00 |
| 人工找货 | VNS14NV04P-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNS14NV04P-E规格书详情
描述 Description
The VNS14NV04P-E is monolithic device made using STMicroelectronics™ VIPower™ M0 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
技术参数
更多- 制造商编号
：VNS14NV04P-E
- 生产厂家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：35
- General Description
：OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：SO-8
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack2
- Clamp Voltage_typ(V)
：45
- Drain Current Limit_typ(A)
：18
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST(意法) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
ST |
23+ |
SOP8 |
6000 |
专业配单保证原装正品假一罚十 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
21+ |
SO-8 |
8860 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
SO-8 |
6000 |
我们只做原装正品,支持检测。 |
询价 | ||
ST/意法半导体 |
23+ |
N/A |
20000 |
询价 | |||
ST/意法半导体 |
23+ |
SO-8 |
12820 |
正规渠道,只有原装! |
询价 | ||
STMicroelectronics |
25+ |
8-SOIC |
9350 |
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询价 | ||
ST |
23+ |
NA |
6800 |
原装正品,力挺实单 |
询价 | ||
ST |
22+ |
8SO |
9000 |
原厂渠道,现货配单 |
询价 | ||
ST/意法 |
22+ |
SO8 |
14100 |
原装正品 |
询价 |
