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VNS3NV04D-E中文资料OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VNS3NV04D-E

参数属性

VNS3NV04D-E 封装/外壳为8-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为管件;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

功能描述

OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 8SO

封装外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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技术参数

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  • 产品编号:

    VNS3NV04D-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    管件

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    2

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    3.5A

  • 导通电阻(典型值):

    120 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    8-SOIC

  • 封装/外壳:

    8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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