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VND5N07-1

OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

文件:166.99 Kbytes 页数:15 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-1

fully autoprotected Power MOSFET

Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir

文件:618.45 Kbytes 页数:24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-1

OMNIFET IIfully autoprotected Power MOSFET

文件:507.97 Kbytes 页数:24 Pages

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-1

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

VND5N07-1-E

电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

ST

意法半导体

VND5N07-1-E

Package:TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA;包装:管件 类别:集成电路(IC) 配电开关,负载驱动器 描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 IPAK

STMICROELECTRONICS

意法半导体

产品属性

  • 产品编号:

    VND5N07-1

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    55V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    3.5A

  • 导通电阻(典型值):

    200 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 供应商器件封装:

    I-PAK

  • 封装/外壳:

    TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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更多VND5N07-1供应商 更新时间2025-12-12 17:00:00