VNB10N07TR-E数据手册批发采购意法半导体-114ic电子网

首页 >VNB10N07TR-E>规格书列表

零件编号	下载&订购	功能描述	制造商&上传企业	LOGO
VNB10N07TR-E	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNB10N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB 类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
K10N07FM	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
K10N07FM	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
SDD10N07	文件：127.42 Kbytes Page：1 Pages	DiscreteDiodes	SIRECTIFIERSirectifier Semiconductors 矽莱克电子江苏矽莱克电子科技有限公司
SDD10N07	文件：406.19 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereHeatsinkDualTandemPolarityGeneralPurposeRectifierDiodes	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
VNB10N07	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNB10N07,VNK10N07FM,VNP10N07FIandVNV10N07aremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNB10N07	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNB10N07	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNB10N07-E	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNK10N07FM	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNB10N07,VNK10N07FM,VNP10N07FIandVNV10N07aremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP10N07	文件：134.17 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNP10N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP10N07-E	文件：376.75 Kbytes Page：11 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNP10N07isamonolithicdevicemadeusingSGS-THOMSONVerticalIntelligentPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclampprotectthechipinharsh	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP10N07FI	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNB10N07,VNK10N07FM,VNP10N07FIandVNV10N07aremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP10N07FI	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNP10N07FI	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNV10N07	文件：159.09 Kbytes Page：14 Pages	?쒹MNIFET??FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET DESCRIPTION TheVNB10N07,VNK10N07FM,VNP10N07FIandVNV10N07aremonolithicdevicesmadeusingSTMicroelectronicsVIPowerM0Technology,intendedforreplacementofstandardpowerMOSFETSinDCto50KHzapplications.Built-inthermalshut-down,linearcurrentlimitationandovervoltageclamp	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNV10N07	文件：511.93 Kbytes Page：14 Pages	OMNIFETFULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团
VNV10N07	文件：399.78 Kbytes Page：14 Pages	FULLYAUTOPROTECTEDPOWERMOSFET	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体（ST）集团

产品属性

产品编号：
VNB10N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
14A
导通电阻（典型值）：
100 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D2PAK
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
中天科工半导体（深圳）有限公司	VNB10N07TR-E	STMicroelectronics	23+	D2PAK	25717	英飞凌电源管理芯片-原装正品	询价
中科国际电子(深圳)有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法	22+	TO-263	1360	原厂原装现货	询价
深圳市科恒伟业电子有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法	21+	TO263	9852	只做原装正品假一赔十!正规渠道订货!	询价
深圳市坤融电子科技有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法	22+	TO-263	112	只做原装进口免费送样!!	询价
深圳市毅创辉电子科技有限公司	VNB10N07TR-E	ST	23+	D2PAK	30000	全新原装正品	询价
深圳和润天下电子科技有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法半导体	22+	TO-263-3	6001	原装正品现货可开增值税发票	询价
深圳市瑞卓芯科技有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法	22+	TO-263	6000	原装正品	询价
深圳市艾兴电子有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法半导体		TO-263-3	6000		询价
深圳市华芯源电子有限公司	VNB10N07TR-E	ST	22+	TO-263	5731	面向全世界客户,原装现货亿万库存	询价
深圳市佳鑫美电子科技有限公司	VNB10N07TR-E	ST/意法	23+	TO-263	30000	原装优势公司现货!	询价

更多VNB10N07TR-E供应商更新时间2024-4-28 15:09:00

客户服务网站合作

Tel：+86-755-8246-9263、8246-9723
Fax：+86-755-8246-9723-808
Email：114ic＠114ic.com
上传库存：stock＠114ic.com
投诉建议：web＠114ic.com

Copyright © 2003-2024 114ic.com All Rights Reserved 粤ICP备05011613号粤公网安备 44030402000933号