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VNB14NV04-E	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB14NV04-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：管件类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB14NV04TR-E	文件：1.27175 Mbytes Page：31 Pages	OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET 文件：1.27175 Mbytes 页数：31 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04	文件：388.88 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：388.88 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND14NV04	文件：510.48 Kbytes Page：29 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB14NV04, VND14NV04, VND14NV04-1 and VNS14NV04 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower™ M0 technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp 文件：510.48 Kbytes 页数：29 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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万三科技(深圳)有限公司	VNB14NV04-E	ST	21+	TO263	6440	库存清仓价格好谈	询价
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