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VNB35NV04TR-E	文件：414.01 Kbytes Page：19 Pages	?쏰MNIFET II?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage cla 文件：414.01 Kbytes 页数：19 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04TR-E	文件：561.42 Kbytes Page：27 Pages	OMNIFET II: fully autoprotected Power MOSFET Description The VNB35NV04-E, VNP35NV04-E and VNV35NV04-E are monolithic devices designed in STMicroelectronics® VIPower® M0-3 Technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC up to 25 kHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage cla 文件：561.42 Kbytes 页数：27 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35NV04TR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET	ST 意法半导体	ST
VNB35NV04TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

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