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VND5N07-E	文件：618.45 Kbytes Page：24 Pages	fully autoprotected Power MOSFET Description The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics® VIPower® M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh envir 文件：618.45 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND5N07-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	OMNIFET：全自动保护功率MOSFET The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics®VIPower®M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.\n\n Faul • Linear current limitation \n• Thermal shutdown \n• Short circuit protection \n• Integrated clamp \n• Low current drawn from input pin \n• Diagnostic feedback through input pin \n• ESD protection \n• Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving) \n• Compatible with standard Power M;	ST 意法半导体	ST
VND5N07-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND5N07FI	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. 文件：166.99 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VND5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. 文件：166.99 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNK5N07FM	文件：166.99 Kbytes Page：15 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VND5N07 is a monolithic device designed in STMicroelectronics VIPower M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50KHz applications. Built in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments. 文件：166.99 Kbytes 页数：15 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VND5N07-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET II™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
3.5A
导通电阻（典型值）：
200 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
故障保护：
限流（固定），超温，过压
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
TO-252（D-Pak）
封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
描述：
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1

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更多VND5N07-E供应商更新时间2026-10-16 14:00:00

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