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VND5N07-E数据手册集成电路(IC)的配电开关负载驱动器规格书PDF

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厂商型号

VND5N07-E

参数属性

VND5N07-E 封装/外壳为TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

功能描述

OMNIFET:全自动保护功率MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHANNEL 1:1 DPAK

封装外壳

TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-8-8 23:00:00

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VND5N07-E规格书详情

描述 Description

The VND5N07-E is a monolithic device designed using STMicroelectronics®VIPower®M0 technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs from DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the power mosfet (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VND5N07-E

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-2

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :200

  • General Description

    :OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :DPAK

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack1

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :70

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :5

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST(意法半导体)
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