首页>VNB35NV04TR-E>规格书详情

VNB35NV04TR-E中文资料“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET数据手册ST规格书

PDF无图
厂商型号

VNB35NV04TR-E

参数属性

VNB35NV04TR-E 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

功能描述

“OMNIFET II”: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

原厂下载下载地址下载地址二

更新时间

2025-9-23 17:28:00

人工找货

VNB35NV04TR-E价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货

技术参数

更多
  • 产品编号:

    VNB35NV04TR-E

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 类别:

    集成电路(IC) > 配电开关,负载驱动器

  • 系列:

    OMNIFET II™, VIPower™

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 开关类型:

    通用

  • 输出数:

    1

  • 比率 - 输入:

    1:1

  • 输出配置:

    低端

  • 输出类型:

    N 通道

  • 接口:

    开/关

  • 电压 - 负载:

    36V(最大)

  • 电压 - 供电 (Vcc/Vdd):

    不需要

  • 电流 - 输出(最大值):

    30A

  • 导通电阻(典型值):

    13 毫欧(最大)

  • 输入类型:

    非反相

  • 故障保护:

    限流(固定),超温,过压

  • 工作温度:

    -40°C ~ 150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 供应商器件封装:

    D2PAK

  • 封装/外壳:

    TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

  • 描述:

    IC PWR DRIVER N-CHAN 1

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法
2450+
NA
9850
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十!
询价
ST/意法半导体
21+
D2PAK-2
8860
原装现货,实单价优
询价
ST/意法
24+
TO-263
504011
免费送样原盒原包现货一手渠道联系
询价
ST
23+
原厂封装
13528
振宏微原装正品,假一罚百
询价
三年内
1983
只做原装正品
询价
ST/意法半导体
23+
D2PAK-2
12700
买原装认准中赛美
询价
ST/意法
22+
TO-263-3
9000
原装正品,支持实单!
询价
ST/意法半导体
21+
D2PAK-2
8860
只做原装,质量保证
询价
ST(意法)
25+
5000
只做原装 假一罚百 可开票 可售样
询价
ST
23+
TO-263-3
4998
正规渠道,只有原装!
询价