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VNB35N07-E中文资料OMNIFET II全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书
| 厂商型号 |
VNB35N07-E |
| 参数属性 | VNB35N07-E 封装/外壳为TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装为管件；类别为集成电路（IC）的配电开关负载驱动器；产品描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK |
| 功能描述 | OMNIFET II全自动保护功率MOSFET |
| 封装外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB |
| 制造商 | ST STMicroelectronics |
| 中文名称 | 意法半导体 意法半导体集团 |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-9-23 9:59:00 |
| 人工找货 | VNB35N07-E价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
VNB35N07-E规格书详情
描述 Description
The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35NV07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower®technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications.
Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh environments.
Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.
特性 Features
• Automotive qualified
• Linear current limitation
• Thermal shutdown
• Short circuit protection
• Integrated clamp
• Low current drawn from input pin
• Diagnostic feedback through input pin
• ESD protection
• Direct access to the gate of the Power MOSFET (analog driving)
• Compatible with standard Power MOSFET
• Standard TO-220 package
• Compliant with 2002/95/EC European directive
技术参数
更多- 制造商编号
：VNB35N07-E
- 生产厂家
：ST
- Technology
：M0-3
- RDS(on)_typ(mΩ)
：28
- General Description
：OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET
- Marketing Status
：Active
- Package
：D2PAK
- RoHS Compliance Grade
：Ecopack1
- Clamp Voltage_typ(V)
：70
- Drain Current Limit_typ(A)
：35
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ST |
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