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VNB10N07中文资料OMNIFET:全自动保护功率MOSFET数据手册ST规格书

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厂商型号

VNB10N07

参数属性

VNB10N07 封装/外壳为TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为集成电路(IC)的配电开关负载驱动器;产品描述:IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

功能描述

OMNIFET:全自动保护功率MOSFET
IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK

封装外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB

制造商

ST STMicroelectronics

中文名称

意法半导体 意法半导体集团

数据手册

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更新时间

2025-9-23 15:28:00

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VNB10N07规格书详情

描述 Description

The VNB10N07, VNK10N07FM, VNP10N07FI and VNV10N07 are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh enviroments.

Fault feedback can be detected by monitoring the voltage at the input pin.

特性 Features

• ESD PROTECTION
• DIAGNOSTIC FEEDBACK THROUGH INPUT PIN
• COMPATIBLE WITH STANDARD POWER MOSFET
• LINEAR CURRENT LIMITATION
• SHORT CIRCUIT PROTECTION
• THERMAL SHUT DOWN
• LOW CURRENT DRAWN FROM INPUT PIN
• DIRECT ACCESS TO THE GATE OF THE POWER MOSFET (ANALOG DRIVING)
• INTEGRATED CLAMP

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :VNB10N07

  • 生产厂家

    :ST

  • Technology

    :M0-2

  • RDS(on)_typ(mΩ)

    :100

  • General Description

    :OMNIFET :FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET

  • Marketing Status

    :Active

  • Package

    :D2PAK

  • RoHS Compliance Grade

    :Ecopack1

  • Clamp Voltage_typ(V)

    :70

  • Drain Current Limit_typ(A)

    :10

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
ST/意法半导体
21+
D2PAK-2
8860
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D2PAK
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