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VNB35N07TR-E	文件：153.65 Kbytes Page：13 Pages	OMNIFET FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET Description The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35N07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower® technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect the 文件：153.65 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35N07TR-E	文件：464.56 Kbytes Page：24 Pages	OMNIFET: fully autoprotected Power MOSFET Description The VNP35N07-E, VNB35N07-E and VNV35N07-E are monolithic devices made using STMicroelectronics VIPower® technology, intended for replacement of standard Power MOSFETs in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shutdown, linear current limitation and overvoltage clamp protect 文件：464.56 Kbytes 页数：24 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB35N07TR-E	文件：300 bytes Page：1 Pages	电源开关 IC - 配电 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET	ST 意法半导体	ST
VNB35N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNB35N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
25A
导通电阻（典型值）：
28 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D2PAK
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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