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VNB20N07TR-E	文件：422.87 Kbytes Page：13 Pages	FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：422.87 Kbytes 页数：13 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNB20N07TR-E	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：集成电路（IC）配电开关，负载驱动器描述：IC PWR DRIVER N-CHAN 1:1 D2PAK	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP20N07	文件：136.78 Kbytes Page：11 Pages	?쒹MNIFET?? FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET DESCRIPTION The VNP20N07 is a monolithic device made using SGS-THOMSON Vertical Intelligent Power M0 Technology, intended for replacement of standard power MOSFETS in DC to 50 KHz applications. Built-in thermal shut-down, linear current limitation and overvoltage clamp protect the chip in harsh 文件：136.78 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS
VNP20N07	文件：332.4 Kbytes Page：2 Pages	isc N-Channel MOSFET Transistor FEATURES ·Drain Current –ID= 20A@ TC=25℃ ·Drain Source Voltage- : VDSS= 70V(Min) ·Static Drain-Source On-Resistance : RDS(on) = 0.05Ω(Max)@VGS= 10V ·100 avalanche tested ·Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION ·motor drive, DC-DC co 文件：332.4 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
VNP20N07	文件：374.75 Kbytes Page：11 Pages	OMNIFET: FULLY AUTOPROTECTED POWER MOSFET 文件：374.75 Kbytes 页数：11 Pages	STMICROELECTRONICS 意法半导体	STMICROELECTRONICS

产品属性

产品编号：
VNB20N07TR-E
制造商：
STMicroelectronics
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
系列：
OMNIFET™, VIPower™
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
低端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
55V（最大）
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
14A
导通电阻（典型值）：
50 毫欧（最大）
输入类型：
非反相
特性：
状态标志
故障保护：
限流（固定），超温，过压
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
D2PAK
封装/外壳：
TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
描述：
IC PWR DRIVER N-CHAN 1

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