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VBE1158N	文件：637.86 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 Rg Tested 100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch 文件：637.86 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1158N_V01	文件：637.86 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition Extremely Low Qgd for Switching Losses 100 Rg Tested 100 Avalanche Tested Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS Primary Side Switch 文件：637.86 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1201K	文件：1.32253 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.32253 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1201K_V01	文件：1.32253 Mbytes Page：10 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：1.32253 Mbytes 页数：10 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1201M	文件：671.89 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：671.89 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1201M_V01	文件：671.89 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：671.89 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1202	文件：660.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：660.66 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1202_V01	文件：660.66 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 20-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 100 Rg and UIS Tested • Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU APPLICATIONS • OR-ing • Server • DC/DC 文件：660.66 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1203M	文件：587.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：587.35 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1203M_V01	文件：587.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：587.35 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Average Continuous Current Rating：
100
Case temperature：
85
Maximum Surge Current [Diode] (A)：
600
maximum virtual junction temperature：
150
Thermal resistance [junction-case] (K/W)：
0.8
Thermal Resistance caseheatsink KW：
0.2
trr typ ns：
35
IRM：
8
Maximum rate of rise in current over time.：
200
Sample Request：
No
Package Type：
ECO-PAC2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	VBEF100-16DL1	IXYS	10+	主营模块	85	原装正品,公司正品供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	VBE17-12NO7	IXYS	24+	ECO-PAC1	48		询价
深圳市振宏微科技有限公司	VBE17-12NO7	IXYS	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	VBEF100-16DL1	IXYS	25+	N/A	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	VBE100-12NO7	IXYS	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	VBE20-20NO1	IXYS	21+	V1A-PAK	1000	主打产品价格优惠.全新原装正品	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	VBE100-12		25+	KBPC-4	3000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	VBE60-06A	IXYS	1931+	N/A	314	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价
艾睿（深圳）半导体有限公司	VBE2658A	VBsemi(台湾微碧)	2447	TO-252	315000	一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货	询价
深圳市科雨电子有限公司	VBE17-12NO7	IXYS	25+	ECO-PAC1	326	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价

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