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VBE1104NA	文件：613.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1104NB	文件：614.29 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1104NC	文件：614.3 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFETS •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1105	文件：622.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1105_V01	文件：622.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •LowThermalResistancePackage •100RgTested APPLICATIONS •IsolatedDC/DCConverters	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1106N	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested APPLICATIONS •Primarysideswitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1106N_V01	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®powerMOSFET •100UIStested APPLICATIONS •Primarysideswitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE110R02	文件：1.4321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 1000V(D-S ) Super Junction Power MOSFET FEATURES •DynamicdV/dtRating •RepetitiveAvalancheRated •IsolatedCentralMountingHole •FastSwitching •EaseofParalleling •SimpleDriveRequirements •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1152N	文件：622.46 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES •TrenchFET®PowerMOSFET •175°CJunctionTemperature •PWMOptimized •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
VBE1154N	文件：705.88 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •ExtremelyLowQgdforSwitchingLosses •100RgTested •100AvalancheTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •PrimarySideSwitch	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI

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详细参数

型号：
VBE
功能描述：
桥式整流器 100 Amps 600V
RoHS：
否
制造商：
Vishay
产品：
Single Phase Bridge
峰值反向电压：
1000 V 最大 RMS
正向连续电流：
4.5 A
最大浪涌电流：
450 A
正向电压下降：
1 V
最大反向漏泄电流：
10 uA
最大工作温度：
+ 150 C
长度：
30.3 mm
宽度：
4.1 mm
高度：
20.3 mm
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
SIP-4
封装：
Tube

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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