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VBE1104NA	文件：613.91 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：613.91 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1104NB	文件：614.29 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：614.29 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1104NC	文件：614.3 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100-V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFETS • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package 文件：614.3 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1105	文件：622.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters 文件：622.16 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1105_V01	文件：622.16 Kbytes Page：8 Pages	N-Channel 100V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • Low Thermal Resistance Package • 100 Rg Tested APPLICATIONS • Isolated DC/DC Converters 文件：622.16 Kbytes 页数：8 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1106N	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 UIS tested APPLICATIONS • Primary side switch 文件：750.97 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1106N_V01	文件：750.97 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 100 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® power MOSFET • 100 UIS tested APPLICATIONS • Primary side switch 文件：750.97 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE110R02	文件：1.4321 Mbytes Page：9 Pages	N-Channel 1000V(D-S ) Super Junction Power MOSFET FEATURES • Dynamic dV/dt Rating • Repetitive Avalanche Rated • Isolated Central Mounting Hole • Fast Switching • Ease of Paralleling • Simple Drive Requirements • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC 文件：1.4321 Mbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1152N	文件：622.46 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：622.46 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBE1154N	文件：705.88 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel 150 V (D-S) MOSFET FEATURES • Halogen-free According to IEC 61249-2-21 Definition • Extremely Low Qgd for Switching Losses • 100 Rg Tested • 100 Avalanche Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：705.88 Kbytes 页数：9 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI

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技术参数

Average Continuous Current Rating：
100
Case temperature：
85
Maximum Surge Current [Diode] (A)：
600
maximum virtual junction temperature：
150
Thermal resistance [junction-case] (K/W)：
0.8
Thermal Resistance caseheatsink KW：
0.2
trr typ ns：
35
IRM：
8
Maximum rate of rise in current over time.：
200
Sample Request：
No
Package Type：
ECO-PAC2

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市勤思达科技有限公司	VBEF100-16DL1	IXYS	10+	主营模块	85	原装正品,公司正品供应	询价
深圳市一线半导体有限公司	VBE17-12NO7	IXYS	24+	ECO-PAC1	48		询价
上海金庆电子技术有限公司	VBE26-06N07	IXYSCORPORATION	新		10	全新原装货期两周	询价
深圳市振宏微科技有限公司	VBE17-12NO7	IXYS	23+	原厂封装	13528	振宏微原装正品,假一罚百	询价
深圳市宇集芯电子有限公司	VBEF100-16DL1	IXYS	24+	N/A	90000	一级代理商进口原装现货、价格合理	询价
深圳市近平电子有限公司	VBE20-20NO1				6000	绝对原装自己现货	询价
中天科工半导体（深圳）有限公司	VBE100-12NO7	IXYS	专业模块	MODULE	8513	模块原装主营-可开原型号增税票	询价
深圳市斌腾达科技有限公司	VBE20-20NO1	IXYS	21+	V1A-PAK	1000	主打产品价格优惠.全新原装正品	询价
深圳市拓亿芯电子有限公司	VBE100-12		23+	KBPC-4	3000	全新原装现货,价格优势	询价
深圳市艾宇欣科技有限公司	VBE60-06A	IXYS	1931+	N/A	314	加我qq或微信，了解更多详细信息,体验一站式购物	询价

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