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VBE1203M_V01	文件：587.35 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：587.35 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBM1203M_V01	文件：524.75 Kbytes Page：6 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch • DT-Trench Power MOSFET 文件：524.75 Kbytes 页数：6 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBA1203M_V01	文件：586.36 Kbytes Page：7 Pages	N-Channel 200 V (D-S) MOSFET FEATURES • TrenchFET® Power MOSFET • 175 °C Junction Temperature • PWM Optimized • 100 Rg Tested • Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC APPLICATIONS • Primary Side Switch 文件：586.36 Kbytes 页数：7 Pages	VBSEMI 微碧半导体	VBSEMI
VBPW34FASR	文件：0 bytes Page：0 Pages	2-SMD	VISHAY/威世上传：深圳市华芯伟电子科技有限公司	VISHAY/威世

更多VBE1203M_V01供应商更新时间2025-11-30 15:01:00