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VBE1105

isc N-Channel MOSFET Transistor

文件:346.22 Kbytes 页数:2 Pages

ISC

无锡固电

VBE1106N

N-Channel 100 V (D-S) MOSFET

文件:739.43 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1158N

N-Channel 150 V (D-S) MOSFET

文件:624.01 Kbytes 页数:9 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1201K

丝印:DPAK;Package:TO-252;N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:1.31455 Mbytes 页数:10 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1201M

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:660.74 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1202

N-Channel 20-V (D-S) MOSFET

文件:573.26 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1203M

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:576.17 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1206

N-Channel 20-V (D-S)175 C MOSFET

文件:479.86 Kbytes 页数:6 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1206N

N-Channel 200 V (D-S) MOSFET

文件:589.66 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

VBE1302

N-Channel 30-V (D-S) MOSFET

文件:559.38 Kbytes 页数:7 Pages

VBSEMI

微碧半导体

技术参数

  • Average Continuous Current Rating:

    100

  • Case temperature:

    85

  • Maximum Surge Current [Diode] (A):

    600

  • maximum virtual junction temperature:

    150

  • Thermal resistance [junction-case] (K/W):

    0.8

  • Thermal Resistance caseheatsink KW:

    0.2

  • trr typ ns:

    35

  • IRM:

    8

  • Maximum rate of rise in current over time.:

    200

  • Sample Request:

    No

  • Package Type:

    ECO-PAC2

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多VBE供应商 更新时间2026-1-31 11:04:00