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V10KM45DU_V01	文件：136.9 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay

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V10KM45DU_V01

文件：136.9 Kbytes

Page：5 Pages

High Current Density Surface-Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020, LFmaximumpeakof260°C •AEC-Q101qualifiedavailable -Automotiveorderingcode:baseP/NHM3 •Materialcategorization:fordefinition

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威世科技

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更多V10KM45DU_V01供应商更新时间2024-5-1 15:00:00

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