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V10P45HM3-87A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.34 V at IF= 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency op

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VISHAYVishay Siliconix

威世威世科技公司

V12P6-M3/86A

TO-277A-3

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V15P8-M3

TO-247

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详细参数

  • 型号:

    V10P45HM3-87A

  • 制造商:

    VISHAY

  • 制造商全称:

    Vishay Siliconix

  • 功能描述:

    High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

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更多V10P45HM3-87A供应商 更新时间2026-2-10 10:39:00