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V10PL45-M3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency operation • Meets MSL level 1, per J-STD-020, LF maximum peak of 260 °C • Material categorizat

文件:608.91 Kbytes 页数:5 Pages

VishayVishay Siliconix

威世科技

V10PL45-M3/86A

Package:TO-277,3-PowerDFN;包装:卷带(TR)剪切带(CT) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

V12P6-M3/86A

Vishay
TO-277A-3

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市金嘉锐电子有限公司

V15P8-M3

VISHAY
TO-247

VishayVishay Siliconix

威世科技

上传:深圳市纳艾斯科技有限公司

产品属性

  • 产品编号:

    V10PL45-M3/86A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    6A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 45V 6A TO277A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多V10PL45-M3/86A供应商 更新时间2025-10-7 11:04:00