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V10P45-M3	文件：90.62 Kbytes Page：6 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.34 V at IF= 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency op 文件：90.62 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P45-M386A	文件：90.62 Kbytes Page：6 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.34 V at IF= 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency op 文件：90.62 Kbytes 页数：6 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P45-M3-86A	文件：86.81 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.34 V at IF= 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency op 文件：86.81 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P45-M3-87A	文件：86.81 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier Ultra Low VF= 0.34 V at IF= 5 A FEATURES • Very low profile - typical height of 1.1 mm • Ideal for automated placement • Trench MOS Schottky technology • Low forward voltage drop, low power losses • High efficiency op 文件：86.81 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P45-M3_15	文件：84.39 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier 文件：84.39 Kbytes 页数：5 Pages	VISHAYVishay Siliconix 威世威世科技公司	VISHAY
V10P45-M3/86A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P45-M3/87A	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-277，3-PowerDFN；包装：带盒（TB）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 45V 4.4A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

详细参数

型号：
V10P45-M3
制造商：
VISHAY
制造商全称：
Vishay Siliconix
功能描述：
High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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更多V10P45-M3供应商更新时间2026-1-30 14:08:00

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