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V12P12-M3/86A	文件：109.94 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技	Vishay
V12P12-M3/86A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：剪切带（CT）带盒（TB）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division

产品属性

产品编号：
V12P12-M3/86A
制造商：
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
系列：
eSMP®, TMBS®
包装：
剪切带（CT）带盒（TB）
二极管类型：
肖特基
电流 - 平均整流 (Io)：
12A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
TO-277，3-PowerDFN
供应商器件封装：
TO-277A（SMPC）
工作温度 - 结：
-40°C ~ 150°C
描述：
DIODE SCHOTTKY 120V 12A TO277A

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