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V10P10HM3/86A

High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier

HighCurrentDensitySurfaceMountTrenchMOSBarrierSchottkyRectifier UltraLowVF=0.453VatIF=5A FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvolatgedrop,lowpowerlosses •

VishayVishay Siliconix

威世科技

Vishay

V10P10HM3/86A

包装:卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带 封装/外壳:TO-277,3-PowerDFN 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

Vishay General Semiconductor - Diodes Division

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产品属性

  • 产品编号:

    V10P10HM3/86A

  • 制造商:

    Vishay General Semiconductor - Diodes Division

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 系列:

    eSMP®, TMBS®

  • 包装:

    卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带

  • 二极管类型:

    肖特基

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    10A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    TO-277,3-PowerDFN

  • 供应商器件封装:

    TO-277A(SMPC)

  • 工作温度 - 结:

    -40°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE SCHOTTKY 100V 10A TO277A

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多V10P10HM3/86A供应商 更新时间2024-4-19 17:20:00