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V10P20	文件：95.63 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:fordefi	VishayVishay Siliconix 威世科技
V10P20	文件：90.51 Kbytes Page：5 Pages	Trench MOS Schottky technology	VishayVishay Siliconix 威世科技
V10P20_V01	文件：95.63 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface-Mount TMBS짰 (Trench MOS Barrier Schottky) Rectifier FEATURES •Verylowprofile-typicalheightof1.1mm •Idealforautomatedplacement •TrenchMOSSchottkytechnology •Lowforwardvoltagedrop,lowpowerlosses •Highefficiencyoperation •MeetsMSLlevel1,perJ-STD-020,LFmaximumpeak of260°C •Materialcategorization:fordefi	VishayVishay Siliconix 威世科技
V10P20-M3	文件：1.7727 Mbytes Page：3 Pages	THINKI 10 Ampere,200 Volt Traditional Planar Process Schottky Barrier Rectifier Features Lowforwardvoltagedrop ThinkiSemitraditionalplanarschottky Highcurrentcapability Highsurgecurrentcapability Lowreverseleakagecurrent Application Inverter/Amplifier PhotovoltaicSolarCellProtection/SMPS BatteryReverseProtectionCircuit/Charger	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
V10P20_15	文件：82.92 Kbytes Page：5 Pages	High Current Density Surface Mount Trench MOS Barrier Schottky Rectifier	VishayVishay Siliconix 威世科技
V10P20P	文件：1.71269 Mbytes Page：12 Pages	Reduced footprint and volume required for surge protection	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
V10P20-M3/86A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P20-M3/87A	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带封装/外壳：TO-277，3-PowerDFN 类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE SCHOTTKY 200V 2.4A TO277A	Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division	Vishay General Semiconductor - Diodes Division
V10P20P	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：散装封装/外壳：圆片式 10mm 类别：电路保护 TVS - 压敏电阻，MOV 描述：VARISTOR 33V 2KA DISC 10MM	LittelfuseLittelfuse Inc. 力特力特公司
C10P20F	文件：694.3 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualCommonCathodeUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
C10P20FD	文件：693.09 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualDoublerPolarityUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
C10P20FR	文件：693.93 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualCommonAnodeUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers Features ◆LatestGPPtechnologywithsuperfastrecoverytime ◆Lowforwardvoltagedrop ◆Highcurrentcapability ◆Highsurgecurrentcapability ◆Lowreverseleakagecurrent Application ◆AutomotiveInvertersandSolarInverters ◆PlatingPowerSupply,SMPS,EPSandUPS ◆CarAudioAmpl	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
C10P20FR	文件：34.8 Kbytes Page：2 Pages	DualDiodes FEATURES DualDiodes–AnodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability *200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation
C10P20FS	文件：693.48 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualTandemPolarityUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
EC-10P20	文件：227.54 Kbytes Page：3 Pages	HIGHPOWER125WHIGHQUALITYAUDIOAMPLIFIERAPPLICATIONS [EXICON] NANDPCHANNELLAERALMOSFETS	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商
F10P20F	文件：689.85 Kbytes Page：2 Pages	LatestGPPtechnologywithsuperfastrecoverytime	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
F10P20FD	文件：667.91 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualDoublerPolarityUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
F10P20FR	文件：667.28 Kbytes Page：2 Pages	LatestGPPtechnologywithsuperfastrecoverytime	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司
F10P20FR	文件：31.09 Kbytes Page：2 Pages	LowForwardVoltagedropDiode FEATURES FullyMoldedIsolation DualDiodes–AnodeCommon Ultra–FastRecovery LowForwardVoltageDrop HighSurgeCapability 200Voltsthru600VoltsTypesAvailable	NIECNihon Inter Electronics Corporation Nihon Inter Electronics Corporation
F10P20FS	文件：668.81 Kbytes Page：2 Pages	10AmpereDualTandemPolarityUltraFastRecoveryHalfBridgeRectifiers	THINKISEMIThinki Semiconductor Co., Ltd. 思祁半导体思祁半导体有限公司

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更多V10P20供应商更新时间2024-4-27 10:46:00

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