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UPA2710GR	文件：241.52 Kbytes Page：9 Pages	MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2710GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.5A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=–4.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPA2710GR	文件：75.13 Kbytes Page：7 Pages	SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2710T	文件：95.73 Kbytes Page：6 Pages	1.5GHzSILICONMMICWIDE-BANDAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2710TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasPAdriverfor900MHzbandcellulatelephonetuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. ThisICismanufacturedusingNEC’s20GHzfTNESATTMlllsiliconb	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2710TB	文件：221.2 Kbytes Page：8 Pages	5V,SUPERMINIMOLDMEDIUMPOWERSIMMICAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2710TB	文件：117.38 Kbytes Page：16 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2710TB	文件：416.77 Kbytes Page：13 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2710TB	文件：320.16 Kbytes Page：14 Pages	5V,SILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER	CEL California Eastern Labs	CEL
UPC2710TB	文件：127.71 Kbytes Page：16 Pages	5V,SUPERMINIMOLDSILICONMMICMEDIUMOUTPUTPOWERAMPLIFIER DESCRIPTION TheµPC2710TBisasiliconmonolithicintegratedcircuitdesignedasPAdriverfor900MHzbandcellulatelephonetuners.ThisICispackagedinsuperminimoldpackagewhichissmallerthanconventionalminimold. ThisICismanufacturedusingNEC’s20GHzfTNESATTMlllsiliconb	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPC2710TB	文件：240.74 Kbytes Page：18 Pages	BIPOLARANALOGINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Supplyvoltage:VCC=4.5to5.5V •Circuitcurrent:ICC=22mATYP.@VCC=5.0V •Powergain:GP=33dBTYP.@f=500MHz •Mediumoutputpower:PO(sat)=+13.5dBmTYP.@f=500MHz •Upperlimitoperatingfrequency:fu=1.0GHzTYP.@3dBbandwidth •Portimpedance	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
VDA2710CTA	文件：1.30402 Mbytes Page：18 Pages	Lowvoltage,Lowpower,짹1HighdetectaccuracyCMOSVoltageDetector GENERALDESCRIPTIONS TheVDAseriesarevoltagedetectorswithlowvoltage,lowpower consumptionandhighaccuracy.Theaccuracyofthedetectionvoltage isdetectedbasedonavoltagereferenceofhighaccuracythatthe temperaturecoefficientiscontrolled.Thedetectionvoltageismadein	ANASEMAnaSem Hong Kong Limited. 安纳森半导体安纳森半导体香港有限公司	ANASEM

详细参数

型号：
UPA2710
制造商：
NEC
制造商全称：
NEC
功能描述：
SWITCHING P-CHANNEL POWER MOSFET

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市昌和盛利电子有限公司	UPA2710GR	NEC	23+	SOP/8	28610		询价
深圳市恒创达实业有限公司	UPA2710GR	NEC	17+	SOIC-8	6200	100%原装正品现货	询价
深圳市博浩通科技有限公司	UPA2710GR	NEC	23+	SOP-8	69000	全新原装现货热卖/代理品牌/可申请样品和规格书	询价
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贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司	UPA2710GR	NEC	23+	SOP-8	11200	原厂授权一级代理、全球订货优势渠道、可提供一站式BO	询价
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深圳市得捷芯城科技有限公司	UPA2710GR	NEC	24+	NA/	3437	原厂直销,现货供应,账期支持!	询价
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更多UPA2710供应商更新时间2025-6-7 14:55:00

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