UCC21756-Q1中文资料Automotive, ±10-A  isolated single-channel gate driver with active protection and iso数据手册TI规格书

描述 Description

UCC21756-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21756-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移 ，共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先进的保护特性，如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO（用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性）。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。

特性 Features

• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
• 器件温度等级 0：-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
• 器件 CDM ESD 分类等级 C6
• 功能安全质量管理型
• 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• ±10A 驱动强度和分离输出
• 具有 200ns 快速响应时间和 5V 阈值的 DESAT 保护
• 发生故障时的 900mA 软关断
• 采用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感应
• 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
• 抑制输入引脚上的 8mm
• 工作结温范围：-40°C 至 +150°C