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UCC21756-Q1数据手册TI中文资料规格书

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厂商型号

UCC21756-Q1

功能描述

Automotive, ±10-A  isolated single-channel gate driver with active protection and iso

制造商

TI Texas Instruments

中文名称

德州仪器 美国德州仪器公司

数据手册

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更新时间

2025-8-9 17:02:00

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UCC21756-Q1规格书详情

描述 Description

UCC21756-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于直流工作电压高达 2121V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护功能、出色的动态性能和稳健性。 UCC21756-Q1 具有高达 ±10A 的峰值拉电流和灌电流。

输入侧通过 SiO 2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kV RMS 的工作电压、12.8kV PK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移 ,共模噪声抗扰度 (CMTI) 大于 150V/ns。

UCC21756-Q1 包括先进的保护特性,如快速过流和短路检测、故障报告、有源米勒钳位以及输入和输出侧电源 UVLO(用于优化 SiC 和 IGBT 开关行为和稳健性)。可以利用隔离式模拟至 PWM 传感器更轻松地进行温度或电压检测,从而进一步提高驱动器的多功能性并较少系统设计工作量、尺寸和成本。

特性 Features

• 5.7kV RMS 单通道隔离式栅极驱动器
• 具有符合 AEC-Q100 标准的下列特性:
• 器件温度等级 0:-40°C 至 +150°C 环境工作温度范围
• 器件 HBM ESD 分类等级 3A
• 器件 CDM ESD 分类等级 C6

• 功能安全质量管理型
• 有助于进行功能安全系统设计的文档

• 高达 2121V pk 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-VEE)
• ±10A 驱动强度和分离输出
• 150V/ns 最小 CMTI
• 具有 200ns 快速响应时间和 5V 阈值的 DESAT 保护
• 4A 内部有源米勒钳位
• 发生故障时的 900mA 软关断
• 具有 PWM 输出的隔离式模拟传感器
• 采用 NTC、PTC 或热敏二极管进行温度感应
• 高电压直流链路或相电压

• 过流警报 FLT 和通过 RST/EN 重置
• 针对 RST/EN 的快速启用/禁用响应
• 抑制输入引脚上的 8mm
• 工作结温范围:-40°C 至 +150°C

技术参数

  • 制造商编号

    :UCC21756-Q1

  • 生产厂家

    :TI

  • Isolation rating

    :Reinforced

  • Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms)

    :5700

  • Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK)

    :8000

  • Power switch

    :IGBT

  • Peak output current (A)

    :10

  • Features

    :Active miller clamp

  • Output VCC/VDD (max) (V)

    :33

  • Output VCC/VDD (min) (V)

    :13

  • Input VCC (min) (V)

    :3

  • Input VCC (max) (V)

    :5.5

  • TI functional safety category

    :Functional Safety Quality-Managed

  • Propagation delay time (µs)

    :0.09

  • Input threshold

    :CMOS

  • Operating temperature range (°C)

    :-40 to 125

  • Rating

    :Automotive

  • Bus voltage (max) (V)

    :2121

  • Fall time (ns)

    :27

  • Undervoltage lockout (typ) (V)

    :12

  • 封装

    :SOIC (DW)

  • 引脚

    :16

  • 尺寸

    :106.09 mm² 10.3 x 10.3

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