UCC21732-Q1中文资料适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册TI规格书

描述 Description

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。

输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。

特性 Features

• 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 （计划的认证）
• 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
• 高峰值驱动电流和高 CMTI
• 有源米勒钳位

• RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）

• 小传播延迟和脉冲/器件间偏移
• 工作温度范围为 –40°C 至 125°C
• 安全相关认证（计划）：
• 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
• 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离