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UCC21732-Q1

Single Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT with Advanced Protection and High-CMTI

文件:57.33 Kbytes 页数:4 Pages

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德州仪器

UCC21732-Q1

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI

文件:1.87692 Mbytes 页数:55 Pages

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UCC21732-Q1

Single Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT with Advanced Protection and High-CMTI

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UCC21732-Q1

适用于 IGBT/SiC FET 且具有 2 级关断功能的汽车类 5.7kVrms ±10A 单通道隔离式栅极驱动器

UCC21732-Q1 它是一款电隔离单通道栅极驱动器,设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT,具有先进的保护 功能、一流的动态性能和稳健性。\n\n输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离,支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度,隔离层寿命超过 40 年,并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。 • 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器\n• 符合面向汽车应用的 AEC-Q100 应用 (计划的认证)\n• 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT\n• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)\n• 高峰值驱动电流和高 CMTI\n• 有源米勒钳位 \n \n• RDY 上的 UVLO(具有电源正常指示功能) \n \n• 小传播延迟和脉冲/器件间偏移\n• 工作温度范围为 –40°C 至 125°C\n• 安全相关认证(计划): \n• 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK V;

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UCC21732-Q1_19

Single Channel Isolated Gate Driver for SiC/IGBT with Advanced Protection and High-CMTI

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UCC21732-Q1_V01

UCC21732 10-A Source/Sink Reinforced Isolated Single Channel Gate Driver for SiC/IGBT with Active Protection, Isolated Analog Sensing and High-CMTI

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技术参数

  • Isolation rating (Vrms):

    5700

  • Power switch:

    IGBT

  • Peak output current (A):

    10

  • DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk):

    8400

  • DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk):

    2121

  • Output VCC/VDD (Max) (V):

    33

  • Output VCC/VDD (Min) (V):

    13

  • Input VCC (Min) (V):

    3

  • Input VCC (Max) (V):

    5.5

  • Prop delay (ns):

    90

  • Operating temperature range (C):

    -40 to 125

  • Undervoltage lockout (Typ):

    12

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更多UCC21732-Q1供应商 更新时间2025-12-12 15:01:00