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UCC21710-Q1中文资料适用于 IGBT/SiC MOSFET 且具有过流保护的汽车类 5.7kVrms 10A 单通道隔离式栅极驱动器数据手册TI规格书
UCC21710-Q1规格书详情
描述 Description
UCC21710-Q1 是一款电隔离单通道栅极驱动器，设计用于高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT，具有先进的保护 功能、出色的动态性能和稳健性。
输入侧通过 SiO2 电容隔离技术与输出侧相隔离，支持高达 1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 的浪涌抗扰度，隔离层寿命超过 40 年，并提供较低的器件间偏移和高 CMTI。
特性 Features
• 单通道 SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器
• 具有符合面向汽车 标准 （计划的认证）
• 高达 1700V 的 SiC MOSFET 和 IGBT
• 33V 最大输出驱动电压 (VDD-COM)
• 高峰值驱动电流和高 CMTI
• 有源米勒钳位
• RDY 上的 UVLO（具有电源正常指示功能）
• 较短传播延迟和较小脉冲/器件间偏移
• 工作温度范围：–40°C 至 125°C
• 安全相关认证（计划）：
• 符合 DIN V VDE V 0884-11 (VDE V 0884-11):2017-01 标准的 8000VPK VIOTM 和 2121VPK VIORM 增强型隔离
• 符合 UL1577 标准、长达 1 分钟的 5700VRMS 隔离
技术参数
- 制造商编号
：UCC21710-Q1
- 生产厂家
：TI
- Isolation rating (Vrms)
：5700
- Power switch
：IGBT
- Peak output current (A)
：10
- DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating (Vpk)
：8400
- DIN V VDE V 0884-10 working voltage (Vpk)
：2121
- Output VCC/VDD (Max) (V)
：33
- Output VCC/VDD (Min) (V)
：13
- Input VCC (Min) (V)
：3
- Input VCC (Max) (V)
：5.5
- Prop delay (ns)
：90
- Operating temperature range (C)
：-40 to 125
- Undervoltage lockout (Typ)
：12
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