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UF2006CT	文件：86.92 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTRECOVERYRECTIFIERS FEATURES •PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-Outilizing FlameRetardantEpoxyMoldingCompound. •ExceedsenvironmentalstandardsofMIL-S-19500/228 •Lowpowerloss,highefficiency. •Lowforwrdvoltge,highcurrentcapability •Highsurg	PANJITPANJIT International Inc. 强茂強茂股份有限公司	PANJIT
UF2006G	文件：38.05 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS REVERSEVOLTAGE-50to1000Volts FORWARDCURRENT-2.0Amperes FEATURES •Glasspassivatedchip •Ultrafastswitchingforhighefficiency •Lowreverseleakagecurrent •Lowforwardvoltagedrop •Highcurrentcapability •EasilycleanedwithFreon,Alcohol,Chlorothen	CTC ctconline	CTC
UF2006G	文件：53.01 Kbytes Page：2 Pages	ULTRAFASTGLASSPASSIVATEDRECTIFIERS	CTC ctconline	CTC
UF2006G	文件：419.52 Kbytes Page：3 Pages	HighEfficiencyGlassPassivatedRectifiers	HYyueqing hongyi electronics co.,ltd 宏一乐清市宏一电子有限公司	HY
UF2006PT	文件：118.43 Kbytes Page：2 Pages	HIGHEFFICIENCYRECTIFIER FEATURES PlasticpackagehasUnderwritersLaboratory FlammabilityClassification94V-0 Lowpowerloss,highefficiency Lowleakage Lowforwardvoltagedrop Highcurrentcapability Highsurgecapability Highspeedswitching Highreliability	CHENMKOCHENMKO CHENMKO	CHENMKO
UF2006-T	文件：95.49 Kbytes Page：3 Pages	2.0AULTRA-FASTRECTIFIER	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
UG2006	文件：89.34 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
UGF2006G	文件：225.08 Kbytes Page：4 Pages	IsolatedUltraFastRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台半台湾半导体股份有限公司	TSC
UPG2006TB	文件：233.05 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.3dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=1GHz LINS=0.45dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •Highisolation:ISL=29dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2GHz ISL=25dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.2	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
UPG2006TB	文件：265.34 Kbytes Page：10 Pages	NECs1.8VL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2006TBisanL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby1.8Vcontrolvoltage. FEATURE	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
V2006B	文件：93.79 Kbytes Page：1 Pages	ASS0848HS	ASSMANNASSMANN WSW COMPONENTS ASSMANN WSW组件有限公司	ASSMANN
VP2006A	文件：274.63 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VP2006AM	文件：295.91 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VP2006B	文件：332.35 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VP2006Z	文件：412.67 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VS2006A	文件：272.84 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
WPM2006	文件：920.76 Kbytes Page：8 Pages	PowerMOSFETandSchottkyDiode	WILLSEMIShanghai Weier Semiconductor Co., Ltd 韦尔半导体上海韦尔半导体股份有限公司	WILLSEMI
WST2006	文件：1.57927 Mbytes Page：5 Pages	DualN-ChannelMOSFET	WIINSOKShenzhen Guan Hua Wei Ye Co., Ltd 微硕半岛体深圳市龍華區大浪街道高峰社區忠信路9號匯億大廈807	WIINSOK
X2006CRS	文件：72.77 Kbytes Page：1 Pages	10BASE-TFILTER	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS
X2006CRS	文件：72.77 Kbytes Page：1 Pages	10BASETFILTER	XFMRS XFMRS，Inc.	XFMRS

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