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UC2710T	文件：72.37 Kbytes Page：4 Pages	High Current FET Driver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC2710T	文件：101.08 Kbytes Page：7 Pages	High Current FET Driver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
UC2710T	文件：104.25 Kbytes Page：6 Pages	High Current FET Driver	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
UC2710T	文件：253.83 Kbytes Page：9 Pages	Marking：UC2710T；Package：TO-220；High Current FET Driver	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
UC2710T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：TO-220-5；包装：卷带（TR）类别：集成电路（IC）栅极驱动器描述：IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5	TI1Texas Instruments 德州仪器	TI1
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UPA2710GR	文件：241.52 Kbytes Page：9 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR DESCRIPTION TheμPA2710GRisP-ChannelMOSFieldEffectTransistor designedforpowermanagementapplicationsofnotebook computersandLi-ionbatteryprotectioncircuit. FEATURES •Lowon-stateresistance RDS(on)1=5.5mΩMAX.(VGS=–10V,ID=–7.5A) RDS(on)2=9.0mΩMAX.(VGS=–4.5	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

产品属性

产品编号：
UC2710T
制造商：
Texas Instruments
类别：
集成电路（IC） > 栅极驱动器
包装：
卷带（TR）
驱动配置：
低端
通道类型：
单路
栅极类型：
IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：
4.7V ~ 18V
逻辑电压 - VIL，VIH：
0.8V，2V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：
6A，6A
输入类型：
反相，非反相
上升/下降时间（典型值）：
85ns，85ns
工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-5
供应商器件封装：
TO-220-5
描述：
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5

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