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UF2006-T	文件：95.49 Kbytes Page：3 Pages	2.0A ULTRA-FAST RECTIFIER	DIODES Diodes Incorporated	DIODES
UF2006-T	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：DO-204AC，DO-15，轴向；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品二极管 - 整流器 - 单描述：DIODE GEN PURP 800V 2A DO15	PAMDiodes Incorporated 龙鼎微龙鼎微电子（上海）有限公司	PAM
UG2006	文件：89.34 Kbytes Page：2 Pages	2.0AGLASSPASSIVATEDULTRAFASTDIODE	ZSELECZibo Seno Electronic Engineering Co.,Ltd 淄博圣诺电子淄博圣诺电子工程有限公司	ZSELEC
UGF2006G	文件：225.08 Kbytes Page：4 Pages	IsolatedUltraFastRectifiers	TSCTaiwan Semiconductor Company, Ltd 台湾半导体台湾半导体股份有限公司	TSC
UPG2006TB	文件：265.34 Kbytes Page：10 Pages	NECs1.8VL,S-BANDSPDTSWITCH DESCRIPTION TheµPG2006TBisanL,S-bandSPDT(SinglePoleDoubleThrow)GaAsFETswitchwhichwasdevelopedfordigitalcellularorcordlesstelephoneapplication.Thedevicecanoperatefrom500MHzto2.5GHz,havingthelowinsertionlossandhighisolationby1.8Vcontrolvoltage. FEATURE	NECRenesas Electronics America 瑞萨日本瑞萨电子株式会社	NEC
UPG2006TB	文件：233.05 Kbytes Page：14 Pages	GaAsINTEGRATEDCIRCUIT FEATURES •Lowinsertionloss:LINS=0.3dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=1GHz LINS=0.45dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •Highisolation:ISL=29dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2GHz ISL=25dBTYP.@Vcont=1.8V/0V,f=2.5GHz •6-pinsuperminimoldpackage(2.0´1.2	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
V2006B	文件：93.79 Kbytes Page：1 Pages	ASS0848HS	ASSMANN ASSMANN WSW COMPONENTS	ASSMANN
VP2006A	文件：274.63 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VP2006AM	文件：295.91 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND
VP2006B	文件：332.35 Kbytes Page：1 Pages	10/100BASE-TXVOICEOVERIPMAGNETICS	BOTHHAND Bothhand USA	BOTHHAND

产品属性

产品编号：
UF2006-T
制造商：
Diodes Incorporated
类别：
分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单
包装：
卷带（TR）
二极管类型：
标准
电流 - 平均整流 (Io)：
2A
速度：
快速恢复 =< 500ns，> 200mA（Io）
不同 Vr、F 时电容：
30pF @ 4V，1MHz
安装类型：
通孔
封装/外壳：
DO-204AC，DO-15，轴向
供应商器件封装：
DO-15
工作温度 - 结：
-65°C ~ 150°C
描述：
DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

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