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UF2006-T

2.0A ULTRA-FAST RECTIFIER

文件:95.49 Kbytes 页数:3 Pages

DIODES

美台半导体

UF2006-T

Package:DO-204AC,DO-15,轴向;包装:卷带(TR) 类别:分立半导体产品 二极管 - 整流器 - 单 描述:DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

PAM

龙鼎微

UG2006

2.0A GLASS PASSIVATED ULTRAFAST DIODE

文件:89.34 Kbytes 页数:2 Pages

ZSELEC

淄博圣诺

UGF2006G

Isolated Ultra Fast Rectifiers

文件:225.08 Kbytes 页数:4 Pages

TSC

台湾半导体

UPG2006TB

NECs 1.8 V L, S-BAND SPDT SWITCH

DESCRIPTION The µPG2006TB is an L, S-band SPDT (Single Pole Double Throw) GaAs FET switch which was developed for digital cellular or cordless telephone application. The device can operate from 500 MHz to 2.5 GHz, having the low insertion loss and high isolation by 1.8 V control voltage. FEATURE

文件:265.34 Kbytes 页数:10 Pages

NEC

瑞萨

产品属性

  • 产品编号:

    UF2006-T

  • 制造商:

    Diodes Incorporated

  • 类别:

    分立半导体产品 > 二极管 - 整流器 - 单

  • 包装:

    卷带(TR)

  • 二极管类型:

    标准

  • 电流 - 平均整流 (Io):

    2A

  • 速度:

    快速恢复 =< 500ns,> 200mA(Io)

  • 不同 Vr、F 时电容:

    30pF @ 4V,1MHz

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    DO-204AC,DO-15,轴向

  • 供应商器件封装:

    DO-15

  • 工作温度 - 结:

    -65°C ~ 150°C

  • 描述:

    DIODE GEN PURP 800V 2A DO15

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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更多UF2006-T供应商 更新时间2025-10-8 11:19:00